Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Новосибирск
Институт физики полупроводников им. академика А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирский филиал
Полная информация об организации: Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники
Институт физики полупроводников им. академика а.в. ржанова со ран, новосибирский филиал Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники
Институт физики полупроводников им. академика а.в. ржанова со ран, новосибирский филиал «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники» на карте г. Новосибирск
«Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники» - институт физики полупроводников им. академика А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирский филиал из г.Новосибирск, располагается по адресу: Академика Лаврентьева проспект, 2/1, Верхняя зона Академгородка м-н (почтовый индекс: 630090). Компания размещена в разделе «Электроника и электротехника», категория - «Оптические приборы». Связаться с представителями можно по телефону: +7(383)330-91-06,+7(383)330-65-59, через сайт: http://oesd.ru. Пожалуйста, при обращении в организацию сообщите, что нашли контакты на сайте GetFirm.ru.